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GeneSiC Semiconductor - MURTA400120R

KEY Part #: K6468630

MURTA400120R Preise (USD) [768Stück Lager]

  • 1 pcs$60.52443
  • 18 pcs$36.55488
Artikelnummer:
MURTA400120R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MURTA400120R elektronische Komponenten. MURTA400120R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MURTA400120R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA400120R Produkteigenschaften

Artikelnummer : MURTA400120R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 200A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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