Artikelnummer :
1EDN8511BXUSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Angetriebene Konfiguration :
Half-Bridge, Low-Side
Gate-Typ :
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
8V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH :
1.2V, 1.9V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
4A, 8A
Eingabetyp :
Inverting, Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
6.5ns, 4.5ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT23-6-2