VS-GB50YF120N Preise (USD) [587Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VS-GB50YF120N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 66A 330W ECONO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - RF ...
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VS-GB50YF120N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GB50YF120N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 66A 330W ECONO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
66A
Leistung max :
330W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
4.5V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
-
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
ECONO2 4PACK
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