STMicroelectronics - STGW8M120DF3

KEY Part #: K6422348

STGW8M120DF3 Preise (USD) [22864Stück Lager]

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Artikelnummer:
STGW8M120DF3
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW8M120DF3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STGW8M120DF3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Serie : M
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 32A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 8A
Leistung max : 167W
Energie wechseln : 390µJ (on), 370µJ (Off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 20ns/126ns
Testbedingung : 600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 103ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247-3