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- Artikelnummer:
- M474A4G43MB1-CTD
- Hersteller:
- Samsung Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DDR4 ECC SODIMM 32 GB 2R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (2G x 8) x 18 Sample.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: HBM Flarebolt, DDR4, MODULE, GDDR6, DDR3, LPDDR4X, LPDDR3 and GDDR5 ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Samsung Semiconductor M474A4G43MB1-CTD elektronische Komponenten. M474A4G43MB1-CTD kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu M474A4G43MB1-CTD haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
M474A4G43MB1-CTD Produkteigenschaften
Artikelnummer :
M474A4G43MB1-CTD
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
DDR4 ECC SODIMM 32 GB 2R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (2G x 8) x 18 Sample
Serie :
DDR3
DDR :
DDR4
Dimm-Typ :
ECC SODIMM
Dichte :
32 GB
Rang x Org. :
2R x 8
Geschwindigkeit :
2666 Mbps
Stromspannung :
1.2 V
Anzahl der Pin :
260
Komponente Zusammensetzung :
(2G x 8) x 18
Produckstatus :
Sample
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