Taiwan Semiconductor Corporation - ESH3B V6G

KEY Part #: K6426472

ESH3B V6G Preise (USD) [721615Stück Lager]

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Artikelnummer:
ESH3B V6G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 25ns 3A 100V UlFst Recov Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3B V6G Produkteigenschaften

Artikelnummer : ESH3B V6G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : -
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 20ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AB, SMC
Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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