Infineon Technologies - IDH04G65C5XKSA2

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Artikelnummer:
IDH04G65C5XKSA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH04G65C5XKSA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDH04G65C5XKSA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1
Serie : CoolSiC™
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 4A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 4A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 70µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : 130pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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