ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR

KEY Part #: K939882

IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR Preise (USD) [27168Stück Lager]

  • 1 pcs$1.68667

Artikelnummer:
IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC PSRAM 64M PARALLEL 48BGA. SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Motortreiber, Steuerungen, PMIC - Batteriemanagement, Logik - Gates und Inverter - Multifunktional, konf, PMIC - Gate-Treiber, Linear - Komparatoren, PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen, Clock / Timing - Verzögerungszeilen and Schnittstelle - Analogschalter, Multiplexer, Demul ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR elektronische Komponenten. IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC PSRAM 64M PARALLEL 48BGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : PSRAM
Technologie : PSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße : 64Mb (4M x 16)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 70ns
Zugriffszeit : 70ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 48-TFBGA
Supplier Device Package : 48-TFBGA (6x8)

Neuesten Nachrichten

Sie könnten auch interessiert sein an
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W949D2DBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm