ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320C-3DBI-TR

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IS43DR16320C-3DBI-TR Preise (USD) [16677Stück Lager]

  • 1 pcs$3.28731
  • 2,500 pcs$3.27096

Artikelnummer:
IS43DR16320C-3DBI-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operations, PMIC - Spannungsregler - DC DC-Schaltregler, IC-Chips, Clock / Timing - Programmierbare Timer und Oszilla, PMIC - Hot-Swap-Controller, Schnittstelle - Treiber, Empfänger, Transceiver, PMIC - Energieverwaltung - spezialisiert and PMIC - Stromversorgungscontroller, Monitore ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBI-TR elektronische Komponenten. IS43DR16320C-3DBI-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS43DR16320C-3DBI-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320C-3DBI-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS43DR16320C-3DBI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 450ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 84-TFBGA
Supplier Device Package : 84-TWBGA (8x12.5)

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