Diodes Incorporated - 1N4006L-T

KEY Part #: K6448612

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    Artikelnummer:
    1N4006L-T
    Hersteller:
    Diodes Incorporated
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N4006L-T Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 1N4006L-T
    Hersteller : Diodes Incorporated
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
    Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
    Kapazität @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : DO-204AL, DO-41, Axial
    Supplier Device Package : DO-41
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

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