Winbond Electronics - W987D2HBJX7E

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W987D2HBJX7E Preise (USD) [42953Stück Lager]

  • 1 pcs$1.20813
  • 240 pcs$1.20212

Artikelnummer:
W987D2HBJX7E
Hersteller:
Winbond Electronics
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - AC DC Converter, Offline-Umschalter, Uhr / Timing - IC-Batterien, Datenerfassung - digitale Potentiometer, PMIC - Power over Ethernet (PoE) -Controller, Logik - Spezialitätslogik, Linear - Analoge Multiplikatoren, Teiler, Schnittstelle - CODECs and PMIC - ODER - Controller, ideale Dioden ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D2HBJX7E Produkteigenschaften

Artikelnummer : W987D2HBJX7E
Hersteller : Winbond Electronics
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße : 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz : 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5.4ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-TFBGA
Supplier Device Package : 90-VFBGA (8x13)

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