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Microsemi Corporation - APT50GT120B2RDQ2G

KEY Part #: K6422250

APT50GT120B2RDQ2G Preise (USD) [5877Stück Lager]

  • 1 pcs$7.04673
  • 32 pcs$7.01167
Artikelnummer:
APT50GT120B2RDQ2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 94A 625W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT50GT120B2RDQ2G elektronische Komponenten. APT50GT120B2RDQ2G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT50GT120B2RDQ2G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GT120B2RDQ2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT50GT120B2RDQ2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 94A 625W TO247
Serie : Thunderbolt IGBT®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 94A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 150A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 50A
Leistung max : 625W
Energie wechseln : 2330µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 340nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 24ns/230ns
Testbedingung : 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : -

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