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Microsemi Corporation - APT50GR120JD30

KEY Part #: K6533687

APT50GR120JD30 Preise (USD) [751Stück Lager]

  • 20 pcs$15.08204
Artikelnummer:
APT50GR120JD30
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 84A 417W SOT227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT50GR120JD30 elektronische Komponenten. APT50GR120JD30 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT50GR120JD30 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GR120JD30 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT50GR120JD30
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 84A 417W SOT227
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 84A
Leistung max : 417W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1.1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 5.55nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SOT-227-4
Supplier Device Package : SOT-227

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