APT50GR120JD30 Preise (USD) [751Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT50GR120JD30
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 84A 417W SOT227.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
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APT50GR120JD30 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT50GR120JD30
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 84A 417W SOT227
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
84A
Leistung max :
417W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.2V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1.1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
5.55nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SOT-227-4
Supplier Device Package :
SOT-227
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