NSBA113EDXV6T1G Preise (USD) [899676Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NSBA113EDXV6T1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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NSBA113EDXV6T1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NSBA113EDXV6T1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
3 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
250mV @ 5mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
-
Leistung max :
250mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-88/SC70-6/SOT-363
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