NGTB50N120FL2WG Preise (USD) [9542Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NGTB50N120FL2WG
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 100A 535W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NGTB50N120FL2WG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NGTB50N120FL2WG
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 100A 535W TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 50A
Leistung max :
535W
Energie wechseln :
4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
311nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
118ns/282ns
Testbedingung :
600V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
256ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247
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