Micron Technology Inc. - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR

KEY Part #: K938191

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Preise (USD) [19516Stück Lager]

  • 1 pcs$2.34790

Artikelnummer:
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Hersteller:
Micron Technology Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA. NAND Flash SLC 2G 128MX16 FBGA
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Lasertreiber, Logik - Latches, PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen, PMIC - Vorgesetzte, Linear - Verstärker - Spezialanwendungen, Uhr / Timing - IC-Batterien, Schnittstelle - Sensor- und Detektorschnittstellen and Embedded - DSP (digitale Signalprozessoren) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR elektronische Komponenten. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
Serie : Automotive, AEC-Q100
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND
Speichergröße : 2Gb (128M x 16)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -

Sie könnten auch interessiert sein an
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)