FD-DF80R12W1H3_B52 Preise (USD) [2473Stück Lager]
- 1 pcs$17.50946
- Artikelnummer:
- FD-DF80R12W1H3_B52
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT MODULE VCES 1200V 40A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FD-DF80R12W1H3_B52 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FD-DF80R12W1H3_B52
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
40A
Leistung max :
215W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 40A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
235nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 125°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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