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GeneSiC Semiconductor - 1N3768R

KEY Part #: K6441071

1N3768R Preise (USD) [8054Stück Lager]

  • 1 pcs$4.55684
  • 10 pcs$4.10115
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  • 100 pcs$3.37202
  • 250 pcs$3.09861
  • 500 pcs$2.82520
Artikelnummer:
1N3768R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5. Rectifiers 1000V 35A REV Leads Std. Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor 1N3768R elektronische Komponenten. 1N3768R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N3768R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3768R Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N3768R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 35A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis, Stud Mount
Paket / fall : DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package : DO-5
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 190°C
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