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Microsemi Corporation - JAN1N3611

KEY Part #: K6427001

JAN1N3611 Preise (USD) [16721Stück Lager]

  • 1 pcs$3.51511
  • 129 pcs$3.49762
Artikelnummer:
JAN1N3611
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A STD 200V HR
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N3611 elektronische Komponenten. JAN1N3611 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N3611 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N3611 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N3611
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/228
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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