Artikelnummer :
GD25WD10CEIGR
Hersteller :
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Speichertyp :
Non-Volatile
Technologie :
FLASH - NOR
Speichergröße :
1Mb (128K x 8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Speicherschnittstelle :
SPI - Quad I/O
Spannungsversorgung :
1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
8-USON (2x3)