RN1312(TE85L,F) Preise (USD) [1936260Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RN1312(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM.
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- Chip von:
- Hongkong
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RN1312(TE85L,F) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RN1312(TE85L,F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
250MHz
Leistung max :
150mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package :
USM
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