RS1BLHM2G Preise (USD) [2000457Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RS1BLHM2G
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RS1BLHM2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RS1BLHM2G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 800mA
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-219AB
Supplier Device Package :
Sub SMA
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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