MT3S111P(TE12L,F) Preise (USD) [244499Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- MT3S111P(TE12L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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MT3S111P(TE12L,F) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
MT3S111P(TE12L,F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
6V
Frequenz - Übergang :
8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) :
1.25dB @ 1GHz
Gewinnen :
10.5dB
Leistung max :
1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
200 @ 30mA, 5V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-243AA
Supplier Device Package :
PW-MINI
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