Toshiba Semiconductor and Storage - MT3S111P(TE12L,F)

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MT3S111P(TE12L,F) Preise (USD) [244499Stück Lager]

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Artikelnummer:
MT3S111P(TE12L,F)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT3S111P(TE12L,F) Produkteigenschaften

Artikelnummer : MT3S111P(TE12L,F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 6V
Frequenz - Übergang : 8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) : 1.25dB @ 1GHz
Gewinnen : 10.5dB
Leistung max : 1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 200 @ 30mA, 5V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-243AA
Supplier Device Package : PW-MINI

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