STMicroelectronics - STGB30V60F

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Artikelnummer:
STGB30V60F
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT V S.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGB30V60F Produkteigenschaften

Artikelnummer : STGB30V60F
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT V S
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 30A
Leistung max : 260W
Energie wechseln : 383µJ (on), 233µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 163nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 45ns/189ns
Testbedingung : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : D2PAK

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