RN1910FE,LF(CT Preise (USD) [1936260Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RN1910FE,LF(CT
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RN1910FE,LF(CT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RN1910FE,LF(CT
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
250MHz
Leistung max :
100mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
ES6
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