DF200R12KE3HOSA1 Preise (USD) [992Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DF200R12KE3HOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
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DF200R12KE3HOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DF200R12KE3HOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
-
Leistung max :
1040W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 125°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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