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Microsemi Corporation - JANTXV1N5619

KEY Part #: K6432940

JANTXV1N5619 Preise (USD) [8362Stück Lager]

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Artikelnummer:
JANTXV1N5619
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A FAST 600V HRV
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5619 elektronische Komponenten. JANTXV1N5619 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5619 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5619 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5619
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/429
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 12V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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