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- Artikelnummer:
- CRH01(TE85R,Q,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT. Rectifiers Diode Hi Efficiency 200V 1A
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage CRH01(TE85R,Q,M) elektronische Komponenten. CRH01(TE85R,Q,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CRH01(TE85R,Q,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
CRH01(TE85R,Q,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CRH01(TE85R,Q,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
980mV @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOD-123F
Supplier Device Package :
S-FLAT (1.6x3.5)
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 150°C
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