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GeneSiC Semiconductor - MBR20080CT

KEY Part #: K6468657

MBR20080CT Preise (USD) [1351Stück Lager]

  • 1 pcs$32.04294
  • 25 pcs$22.84681
Artikelnummer:
MBR20080CT
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR20080CT elektronische Komponenten. MBR20080CT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR20080CT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR20080CT Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR20080CT
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 840mV @ 100A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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