BSM50GB120DN2HOSA1 Preise (USD) [1241Stück Lager]
- 1 pcs$34.90688
- Artikelnummer:
- BSM50GB120DN2HOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
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- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSM50GB120DN2HOSA1 elektronische Komponenten. BSM50GB120DN2HOSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSM50GB120DN2HOSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSM50GB120DN2HOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM50GB120DN2HOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
78A
Leistung max :
400W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
3.3nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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