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GeneSiC Semiconductor - MURT20010R

KEY Part #: K6468664

MURT20010R Preise (USD) [999Stück Lager]

  • 1 pcs$46.46811
  • 25 pcs$29.08672
Artikelnummer:
MURT20010R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MURT20010R elektronische Komponenten. MURT20010R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MURT20010R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT20010R Produkteigenschaften

Artikelnummer : MURT20010R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 50V
Betriebstemperatur - Übergang : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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