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- Artikelnummer:
- RFN2LAM6STR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vr 1.5A Io Fast Recovery Diode
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RFN2LAM6STR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RFN2LAM6STR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.55V @ 1.5A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOD-128
Supplier Device Package :
PMDTM
Betriebstemperatur - Übergang :
150°C (Max)
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