Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 6A D5B
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.76V @ 18.8A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 100V
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, E
Supplier Device Package :
D-5B
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 155°C