Infineon Technologies - FF50R12RT4HOSA1

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FF50R12RT4HOSA1 Preise (USD) [1939Stück Lager]

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Artikelnummer:
FF50R12RT4HOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE 1200V 50A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF50R12RT4HOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FF50R12RT4HOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE 1200V 50A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 50A
Leistung max : 285W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 2.8nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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