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Microsemi Corporation - 1N5809US

KEY Part #: K6426619

1N5809US Preise (USD) [8275Stück Lager]

  • 1 pcs$4.97550
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  • 100 pcs$3.68108
  • 250 pcs$3.38260
  • 500 pcs$3.08413
Artikelnummer:
1N5809US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation 1N5809US elektronische Komponenten. 1N5809US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N5809US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5809US Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N5809US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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