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Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI4

KEY Part #: K937136

TC58NYG2S0HBAI4 Preise (USD) [15996Stück Lager]

  • 1 pcs$2.86455
Artikelnummer:
TC58NYG2S0HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - RMS-zu-DC-Wandler, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, PMIC - Lasertreiber, PMIC - Voll- und Halbbrückentreiber, Logik - Flip Flops, Linear - Verstärker - Spezialanwendungen, Datenerfassung - Touchscreen-Controller and PMIC - Stromversorgungscontroller, Monitore ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI4 elektronische Komponenten. TC58NYG2S0HBAI4 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TC58NYG2S0HBAI4 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TC58NYG2S0HBAI4
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 63-VFBGA
Supplier Device Package : 63-TFBGA (9x11)

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