APTM120H29FG Preise (USD) [414Stück Lager]
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- 25 pcs$135.19703
- Artikelnummer:
- APTM120H29FG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APTM120H29FG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTM120H29FG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
374nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10300pF @ 25V
Leistung max :
780W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP6
Supplier Device Package :
SP6
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