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Microsemi Corporation - APTM120H29FG

KEY Part #: K6522643

APTM120H29FG Preise (USD) [414Stück Lager]

  • 1 pcs$147.39494
  • 10 pcs$140.27951
  • 25 pcs$135.19703
Artikelnummer:
APTM120H29FG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM120H29FG elektronische Komponenten. APTM120H29FG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM120H29FG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H29FG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM120H29FG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
Leistung max : 780W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6

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