Toshiba Semiconductor and Storage - RN1112(T5L,F,T)

KEY Part #: K6527868

[2688Stück Lager]


    Artikelnummer:
    RN1112(T5L,F,T)
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage RN1112(T5L,F,T) elektronische Komponenten. RN1112(T5L,F,T) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RN1112(T5L,F,T) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1112(T5L,F,T) Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RN1112(T5L,F,T)
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Transistortyp : NPN - Pre-Biased
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
    Widerstand - Basis (R1) : 22 kOhms
    Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
    Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
    Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
    Frequenz - Übergang : 250MHz
    Leistung max : 100mW
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SC-75, SOT-416
    Supplier Device Package : SSM

    Sie könnten auch interessiert sein an