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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-5TLA1-TR

KEY Part #: K936852

IS46R16320E-5TLA1-TR Preise (USD) [15186Stück Lager]

  • 1 pcs$3.01727
Artikelnummer:
IS46R16320E-5TLA1-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Spannungsregler - Linear, Schnittstelle - spezialisiert, Schnittstelle - Sensor, kapazitive Berührung, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Logik - Puffer, Treiber, Empfänger, Transceiver, Logik - Übersetzer, Pegelumsetzer, Logik - Signalschalter, Multiplexer, Decoder and PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-5TLA1-TR elektronische Komponenten. IS46R16320E-5TLA1-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS46R16320E-5TLA1-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16320E-5TLA1-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS46R16320E-5TLA1-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 700ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 66-TSOP II

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