Infineon Technologies - FS75R12W2T4B11BOMA1

KEY Part #: K6534580

FS75R12W2T4B11BOMA1 Preise (USD) [1546Stück Lager]

  • 1 pcs$28.00432

Artikelnummer:
FS75R12W2T4B11BOMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies FS75R12W2T4B11BOMA1 elektronische Komponenten. FS75R12W2T4B11BOMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FS75R12W2T4B11BOMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS75R12W2T4B11BOMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FS75R12W2T4B11BOMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 107A
Leistung max : 375W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4.3nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.