Microsemi Corporation - 1N5821US

KEY Part #: K6444279

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    Artikelnummer:
    1N5821US
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single and Transistoren - JFETs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation 1N5821US elektronische Komponenten. 1N5821US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N5821US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N5821US Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 1N5821US
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF
    Serie : -
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Schottky
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 500mV @ 3A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 30V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SQ-MELF, B
    Supplier Device Package : B, SQ-MELF
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 125°C

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