Toshiba Semiconductor and Storage - HN2C01FE-GR(T5L,F)

KEY Part #: K6392109

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    Artikelnummer:
    HN2C01FE-GR(T5L,F)
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Leistungstreibermodule ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FE-GR(T5L,F) elektronische Komponenten. HN2C01FE-GR(T5L,F) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HN2C01FE-GR(T5L,F) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN2C01FE-GR(T5L,F) Produkteigenschaften

    Artikelnummer : HN2C01FE-GR(T5L,F)
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Transistortyp : 2 NPN (Dual)
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 150mA
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
    Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 10mA, 100mA
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
    Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 200 @ 2mA, 6V
    Leistung max : 100mW
    Frequenz - Übergang : 60MHz
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SOT-563, SOT-666
    Supplier Device Package : ES6

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