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Microsemi Corporation - JAN1N5551

KEY Part #: K6434944

JAN1N5551 Preise (USD) [7439Stück Lager]

  • 1 pcs$5.75554
  • 10 pcs$5.18087
  • 25 pcs$4.72043
Artikelnummer:
JAN1N5551
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 400V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5551 elektronische Komponenten. JAN1N5551 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5551 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5551 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N5551
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : B, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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