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ON Semiconductor - EFC6601R-A-TR

KEY Part #: K6523734

EFC6601R-A-TR Preise (USD) [4066Stück Lager]

  • 5,000 pcs$0.15623
Artikelnummer:
EFC6601R-A-TR
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH EFCP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor EFC6601R-A-TR elektronische Komponenten. EFC6601R-A-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EFC6601R-A-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EFC6601R-A-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : EFC6601R-A-TR
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH EFCP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-XFBGA, FCBGA
Supplier Device Package : EFCP2718-6CE-020

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