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GeneSiC Semiconductor - MSRT100120(A)D

KEY Part #: K6468970

MSRT100120(A)D Preise (USD) [1746Stück Lager]

  • 1 pcs$24.78775
  • 25 pcs$18.39542
Artikelnummer:
MSRT100120(A)D
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 100A Forward
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MSRT100120(A)D elektronische Komponenten. MSRT100120(A)D kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MSRT100120(A)D haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT100120(A)D Produkteigenschaften

Artikelnummer : MSRT100120(A)D
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Series Connection
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 100A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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