Toshiba Semiconductor and Storage - CMH05A(TE12L,Q,M)

KEY Part #: K6445559

CMH05A(TE12L,Q,M) Preise (USD) [2066Stück Lager]

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Artikelnummer:
CMH05A(TE12L,Q,M)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage CMH05A(TE12L,Q,M) elektronische Komponenten. CMH05A(TE12L,Q,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CMH05A(TE12L,Q,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CMH05A(TE12L,Q,M) Produkteigenschaften

Artikelnummer : CMH05A(TE12L,Q,M)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-128
Supplier Device Package : M-FLAT (2.4x3.8)
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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