Infineon Technologies - AIHD15N60RFATMA1

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Artikelnummer:
AIHD15N60RFATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IC DISCRETE 600V TO252-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AIHD15N60RFATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : AIHD15N60RFATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IC DISCRETE 600V TO252-3
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 45A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 15A
Leistung max : 240W
Energie wechseln : 270µJ (on), 250µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 13ns/160ns
Testbedingung : 400V, 15A, 15 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : PG-TO252-3-313