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Microsemi Corporation - APT13GP120BDQ1G

KEY Part #: K6422297

APT13GP120BDQ1G Preise (USD) [12204Stück Lager]

  • 1 pcs$3.39375
  • 72 pcs$3.37686
Artikelnummer:
APT13GP120BDQ1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 41A 250W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT13GP120BDQ1G elektronische Komponenten. APT13GP120BDQ1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT13GP120BDQ1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT13GP120BDQ1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT13GP120BDQ1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 41A 250W TO247
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 41A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 50A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 13A
Leistung max : 250W
Energie wechseln : 115µJ (on), 165µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 55nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 9ns/28ns
Testbedingung : 600V, 13A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247 [B]

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