Infineon Technologies - DDB6U145N16LHOSA1

KEY Part #: K6473539

DDB6U145N16LHOSA1 Preise (USD) [708Stück Lager]

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Artikelnummer:
DDB6U145N16LHOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE GP 1600V.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs and Transistoren - IGBTs - Single ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDB6U145N16LHOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DDB6U145N16LHOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE MODULE GP 1600V
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 3 Independent
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : -
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.43V @ 150A
Geschwindigkeit : -
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5mA @ 1600V
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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