Infineon Technologies - FF200R12KE3HOSA1

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FF200R12KE3HOSA1 Preise (USD) [883Stück Lager]

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Artikelnummer:
FF200R12KE3HOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R12KE3HOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FF200R12KE3HOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : 2 Independent
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : -
Leistung max : 1050W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 125°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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